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> 反應離子刻蝕
日本SAMCO RIE等離子蝕刻設備 RIE-10NR
RIE-10NR是一種新型的低成本、高性能、全自動反應離子刻蝕系統,能夠滿足非腐蝕性氣體化學最苛刻的工藝要求。 計算機化觸摸屏為工藝配方編程和存儲提供了用戶友好的界面。該系統可以實現精確的側壁輪廓控制和材料之間的高蝕刻選擇性。憑借其圓滑、緊湊的設計,RIE-10NR只需要很小的潔凈室空間。
型號:
RIE-10NR
發布時間:2023-08-07
日本SAMCO ICP-RIE等離子體蝕刻設備 RIE-800iP
RIE-800iP是一種高性能ICP(電感耦合等離子體)蝕刻系統,它使用高密度等離子體來執行光電器件和電子元件所需的化合物半導體或介電膜蝕刻.
型號:
RIE-800iP
發布時間:2024-02-03
日本SAMCO 深硅蝕刻設備 RIE-400iP
The RIE-400iP是一種高性能電感耦合等離子體(ICP)蝕刻系統,它使用高密度等離子體來執行光電器件和電子元件所需的化合物半導體蝕刻。
型號:
RIE-400iP
發布時間:2024-02-03
Oxford RIE反應離子刻蝕機PlasmaPro 80
PlasmaPro 80是一種結構緊湊、小尺寸且使用方便的直開式系統,可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置,便于使用,且能確保工藝性能。直開式設計可實現快速晶圓裝卸,是研究和小批量生產的理想選擇。 它通過優化的電極冷卻和出色的襯底溫度控制來實現高質量的工藝。
型號:
PlasmaPro 80 RIE
發布時間:2023-03-01
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